热插拔是适用指将电子配置装备部署插入带电电源；这可能会破损相关电子配置装备部署 。电容性负载可能会发生较大的于热运用负载电流，从而给电源、插拔电缆组件以及任何限流电路带来压力
。备导此外，通电电缆寄生电感上的高效电压变更会引起电压尖峰，从而进一步破损电子配置装备部署。适用

本文援用地址 ：

热插拔是于热运用指将电子配置装备部署插入带电电源；这可能会破损相关电子配置装备部署。电容性负载可能会发生较大的插拔负载电流，从而给电源、备导电缆组件以及任何限流电路带来压力。通电此外，高效电缆寄生电感上的适用电压变更会引起电压尖峰，从而进一步破损电子配置装备部署。于热运用

简介

热插拔是插拔指将电子配置装备部署插入带电电源；这可能会破损相关电子配置装备部署。电容性负载可能会发生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件以及任何限流电路带来压力。此外 ，电缆寄生电感上的电压变更会引起电压尖峰，从而进一步破损电子配置装备部署 。

热插拔电路用于经由偏置传输晶体管的栅极来限度浪涌电流 ，从而应承电子配置装备部署以受控方式插入带电电源。强盛的热插拔妄想将操作浪涌电流以及 dv/dt ，从而坚持 MOSFET 的清静使命条件 。

德州仪器 (TI) 提供多种热插拔操作器 ，使热插拔运用的妄想变患上重大。该操作器限度流过 MOSFET 的电流、功耗，而且可能限度 dv/dt。LM5066I 便是一个例子。LM5066I 的运用道理图如下所示。

经由传输晶体管的电流由 RSNS 配置  。应留意将开尔文衔接到 RSNS 以取患上精确的电压读数。

功耗由RPWR配置 。电流由一个受监控的电阻器配置。可能运用CTIMER配置倾向计时器来限度光阴量。dv/dt操作可经由可选的RCDQ电路妨碍配置
。

零星妄想职员在合计电流
、功耗 、倾向定时器以及 dv/dt 时，应参考 MOSFET 数据表中的清静使命地域曲线 。下面以 CSD17570Q5B（一款针对于热插拔运用妨碍优化的 TI MOSFET）的清静使命地域曲线为例 。

抉择 MOSFET 的关键参数

抉择热插拔运用的晶体管是妄想坚贞电路的关键步骤 。在热插拔妄想中运用低 RDS(on) MOSFET 可飞腾 MOSFET 残缺导通时的功耗以及压降 。低 RDS(on) 在稳态运行时期相关，但在从残缺封锁到残缺开启的过渡时期无关，此时 MOSFET 在线性地域运行。在线性区运行应参考运行曲线的清静区 。精采的热界面以及饶富的散热颇为紧张，由于 MOSFET 在线性地域使命时会发生耗散。应运用针对于热插拔运用优化的 MOSFET。

适用于热插拔运用的 Texas Instruments 功率 MOSFET

Texas Instruments 的 NexFET? 功率 MOSFET 系列针对于热插拔运用妨碍了优化。CSD17570Q5B 是 TI 的一款功率 30V MOSFET ，针对于热插拔妄想妨碍了优化 。它的 RDS(on)=0.53mohm，VGS=10V。在 25°C 下，将其部署在 1 平方英寸的铜上时，可耗散 3.2W 的功率。它接管 SON 封装，尺寸为 5 毫米 x 6 毫米。